消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

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• 消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

  亚汇网10月12日消息，韩媒ZDNETKorea当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的NAND闪存产品，除此前已公布的报道指出，zNAND-T的"T"代表"Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和SK海力士提出的HBF概念，为数据中心AI半导体的需求优化读写带宽表现，采用TSV堆叠NANDDie。而zNAND-I的"I"则是象征随机性能的IOPS的简写，强调少量数据频繁读写操作中的表现，KVCache卸载就属于此类场景。▲zNAND-O结构示意三种zNAND各有专长，针对不同的应用负载，代表着NAND闪存正从通用型产品转向定制化。相关阅读：《

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