据DigiTimes上周五报道，业内人士透露，下一代HBM4的价格有望升至每Gb4至5美元甚至更高，而2026年下半年的价格约为每Gb2美元。此次价格上涨主要源于HBM4极其复杂的制造工艺。HBM4的生产周期长达4至6个月，而且初期良率明显低于成熟产品。此外，生产HBM所消耗的晶圆产能约为普通DDR5DRAM的三倍，这意味着在现有产能条件下，内存厂商能够生产的HBM数量受到严重限制。供应紧张的局面还因长期供货协议进一步加剧。三星电子、SK海力士和美光等存储巨头，正通过与顶级AI客户签署为期3至5年的长期合同，提前锁定全球HBM产能。DigiTimes认为，随着越来越多DRAM产能转向HBM，再加上长期合同占用，到2027年，全球约一半DRAM产能将无法向中小客户供应。与此同时，英伟达即将推出的RubinAI架构正在加速HBM4的导入。不过，存储厂商也面临新的利润取舍。由于今年服务器DDR5内存价格持续上涨，部分厂商的DDR5利润率已超过80%，这使得内存制造商只有在HBM能够带来更高利润的情况下，才愿意将生产线从传统DRAM转向HBM。因此，他们也将推动HBM维持更高的售价，以弥补转换产线带来的机会成本。资本市场方面，这种长期供不应求的格局预计将继续支撑存储板块股价表现。SK海力士当天通过美国存托凭证（ADR）正式登陆纳斯达克，这是公司历史上首次在美国上市交易。本次发行规模高达265亿美元，且ADR的交易价格甚至高于其韩国首尔上市股票，显示投资者依然高度看好AI存储市场的发展前景。AI热潮已经推动多家存储企业股价大幅上涨，其中：美光（Micron）累计上涨超过700%；闪存厂商闪迪（SanDisk）上涨超过3800%；SK海力士上涨超过630%；三星电子上涨超过360%。亚汇网注意到，尽管近期市场一度担忧科技巨头可能削减AI基础设施投资，但DigiTimes援引供应链消息称，进入2027年后，AI硬件整体仍将处于供不应求状态。因此，预计存储厂商将在2026年底的新一轮供货合同谈判中继续掌握绝对的定价主动权，而没有提前签订长期供货协议的消费电子厂商，则可能面临严重的缺货风险。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
消息称 HBM4 价格明年有望翻倍，产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张
文 / 小亚
2026-07-13 07:39:03
来源:亚汇网
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