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消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成

文 / 小亚 2026-02-24 23:39:06 来源:亚汇网

通常而言，80~90%的良率是DRAM大规模量产的关键指标，三星电子的新一代工艺预计将在今年五月前后达到90%。与此同时，基于1cnmDRAM的HBM4AI内存的良率也有所改善，从2025Q4的50%提升至接近60%，这意味着三星电子能在有限的产能容量中产出更多HBM，在高利润市场赢得更大营收规模。与制程良率同步提升的是三星的1cnm产能，这部分的月度晶圆投片量在2025年末仅有6万片，而到2026H2将升至20万片。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。

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