您正在访问亚汇网香港分站,本站所提供的内容均遵守中华人民共和国香港特别行政区法律法规。

消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存,原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程

文 / 小亚 2026-02-25 23:39:08 来源:亚汇网

三星电子早在2013年就实现了3DNAND(V-NAND)的量产,不过在2D→3D的过渡期后,三星还是保留了小规模的2DNAND产能以应对特殊利基市场的需求。▲三星电子早期2DNAND产品图源:三星半导体官网华城12号生产线未来将服务于1cnmDRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺,与同在华城园区的1cnm前端生产线实现协力。除在华城的DRAM制程升级外,三星还在平泽园区大力扩展1cnmDRAM内存产能。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

相关新闻

加载更多...

排行榜 日排行 | 周排行