消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
文 / 小亚
2026-03-30 08:39:03
来源:亚汇网
西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于2024年,旨在改造原有的V6(128L)NAND,以提升产品性能与生产效率,增强产能竞争力,满足AI时代对高性能存储设备的需求。在量产V8NAND后,三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9NAND,相关生产线将位于X2工厂,计划在2026年内完成过渡并实现量产。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。
























































