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消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品

文 / 小亚 2026-04-16 12:01:18 来源:亚汇网

三星电子在今年早些时候的NVIDIA英伟达GTC2026上公开展示了HBM4E内存，可实现16Gbps的每Pin数据传输速率，整体带宽达4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。与HBM4一样，三星电子的HBM4E将采用1cnmDRAMDie和4nmBaseDie，不过工艺细节将有所改进。三星晶圆代工计划在5月中旬之前完成HBM4E性能样品BaseDie的生产，交付存储器业务以进行后续3D封装工序。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。

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