您正在访问亚汇网香港分站,本站所提供的内容均遵守中华人民共和国香港特别行政区法律法规。

消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10(332 层)3D NAND 闪存

文 / 小亚 2026-05-23 23:39:05 来源:亚汇网

亚汇网5月23日消息,韩媒ZDNETKorea当地时间今日报道称,业内消息人士指出KIOXIA(铠侠)计划在2027年量产第十代BiCSFLASH产品,相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于铠侠在BiCS8世代引入了CBA(亚汇网注:CMOS直接键合到存储阵列)架构,解耦了NAND中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新CMOS技术的BiCS9产品已于去年出样。而BiCS10则将存储单元的堆叠层数提升到332层,以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率,位密度相较现有的BiCS8提升59%。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

相关新闻

加载更多...