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东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET,主要面向下一代 AI 数据中心电源系统

文 / 小亚 2026-05-25 12:39:02 来源:亚汇网

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构,单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约58%,达到业界领先水平;同时其品质因数较现有产品提高了约52%。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热,从而提升整体系统效率。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能,对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。东芝计划在2026财年实现"TW007D120E"的量产,并将继续拓展其产品线,如开发面向汽车应用的产品。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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