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面向 AI 的下一代超高性能 DRAM,SK 海力士已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品

文 / 小亚 2026-06-18 08:01:42 来源:亚汇网

SK海力士表示:“凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验,公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作,致力于确保按时量产。”据官方介绍,此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。此外,HBM4E通过新一代接口和设计优化,有效降低了数据传输延迟,即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。公司预计,这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。据亚汇网了解,SK海力士在HBM4E产品采用了先进(Advanced)MR-MUF工艺,通过12层堆叠实现48GB容量的同时,进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比,其热阻降低了约17%,确保了在高性能计算环境中的稳定运行。SK海力士开发总管(CDO,ChiefDevelopmentOfficer)安炫社长表示:“我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品,夯实持续引领AI创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作,以前瞻性布局实现市场所需价值,进一步巩固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技术领导地位。”广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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