2026-08-02 12:01:44
英特尔正在俄亥俄州建设一座占地约1000英亩（亚汇网注：约405公顷）的大型晶圆厂园区，用于生产其“埃米时代”（Angstromera）制程节点，包括18A和14A工艺。为了加快这一关键园区的建设进度，据称英特尔目前正在发放高额加班奖金，希望推动该园区最终在2031年实现14A工艺的大规模量产。与此同时，近期有消息称，台积电正在研发一种类似EMIB的先进封装方案，以作为其体积更大的CoWoS-L产品的补充。英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，是通过将微小的硅桥直接嵌入有机基板中，在单个处理器封装内部连接多个硅芯片（Chiplet）。该技术只需要在芯粒与硅桥连接的边缘区域布置高密度微凸点，从而实现芯片之间的高速互联。而EMIB-T则进一步升级了这一方案，在嵌入式硅桥中加入了贯穿硅通孔（TSV）。这些垂直互连通道能够让电力和高速信号直接从封装底部穿过硅桥，并传输至上方堆叠的处理器或内存，实现三维芯片堆叠。需要注意的是，英特尔EMIB-T的成本大约比台积电CoWoS低50%。因此，英特尔目前预计将在2027年开始大规模提供EMIB-T封装服务，而该技术的封装良率已经接近90%。不过，目前仍存在一个尚未解决的问题，那就是基板良率，目前仍停留在约50%。作为补充说明，英特尔EMIB-T所使用的基板主要包括以下几个部分：首先是基础有机基板面板，其中包含经过精密钻孔加工、用于放置硅桥的凹槽。这部分主要由Ibiden（核心供应商）、Shinko、Unimicron和AT&S等厂商制造。其次是介电层堆叠结构，即直接覆盖在嵌入式硅桥上方的绝缘层，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）。最后是包含TSV结构的硅桥本身，用于实现垂直方向的电力和信号传输。目前，正是这一基板环节拖慢了英特尔扩大EMIB-T封装服务规模的计划。尽管如此，基板供应商Unimicron最近再次表示，EMIB-T仍处于早期发展阶段，目前的重点任务是快速提升产能并改善良率。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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