感谢亚汇网网友据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米；同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。据亚汇网此前报道，
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文 / 小亚
2026-09-20 13:39:05
来源:亚汇网
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