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美光确认 HBM4E 基于 1γ DRAM,未来 1δ 工艺将使用最新 EUV 光刻设备

文 / 小亚 2026-03-19 13:02:34 来源:亚汇网

而在DRAM工艺开发方面,美光确认将引入第7代10nm级工艺1δ(1-delta)。该节点的EUV光刻使用量将更高,为此美光计划为其导入最新一代的EUV光刻设备(亚汇网注:这里应指HighNAEUV),以优化洁净室空间效率和图案化表现。美光正从传统的LTA长期协议转向包含多年具体承诺的SCA战略客户协议,首份五年期SCA已经签署。这种模式为美光提供更好的业务可见性与稳定性,同时也给予客户更大的确定性,深化双方的长期合作。美光预测全球整体的DRAM和NAND供应规模将在2026日历年增长20%左右,PC和智能手机的出货量可能会有一成出头的下滑。该企业提升了本财年的资本支出规模,以满足晶圆厂洁净室建设的需求。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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