2026-04-09 12:02:18
应用材料表示，GAA全环绕栅极结构正成为尖端工艺的必然之选，可带来显著的能效提升。不过GAA的结构相较FinFET也更为复杂，需要超过500道工序方能制造，而这其中不少都要用到全新的材料沉积方法。▲AppliedProducerPrecisionSelectiveNitridePECVD两款新设备中AppliedProducerPrecisionSelectiveNitridePECVD是一款等离子体增强化学气相沉积系统，面向分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离结构。其采用创新的自下而上选择性沉积工艺，仅在沟槽必要位置向氧化硅绝缘介质上沉积致密的氮化硅层，有助于保护绝缘介质免受后续工序的影响。▲AppliedProducerPrecisionSelectiveNitridePECVD而EnduraTrilliumALD则是一款为GAA优化的原子层沉积设备，其可构建具有原子级均匀性的复杂金属栅极结构，允许晶圆厂灵活地调节不同晶体管的阈值电压，通过精密的沉积厚度控制塑造满足客户多样化参数要求的GAA晶体管。▲EnduraTrilliumALD广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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