业内消息人士3月20日透露，SK海力士计划在HBM4E的“核心芯片”（即堆叠的DRAM）上使用10nm级第6代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。相比之下，今年SK海力士向英伟达供应的HBM4采用了10nm级第5代（1b）DRAM核心芯片，逻辑芯片则使用台积电12nm工艺；而三星电子的HBM4则采用了10nm级第6代（1c）DRAM工艺的核心芯片及4nm的逻辑芯片。尽管SK海力士是目前英伟达最大的HBM4供应商，但据称其在性能评估方面却收到了落后于三星的评价。如亚汇网前文所述，三星在HBM4上应用了比SK海力士更先进的工艺，所以性能领先也在情理之中。SK海力士此番在HBM4E的逻辑芯片上引入3nm工艺，显然是意在扭转这一局面。如果说HBM4更侧重于通过成熟工艺保障稳定性，那么HBM4E则旨在实现性能领先，确立技术优势。▲图源：trendforce报道指出，随着可根据客户需求定制逻辑芯片的“定制化HBM”市场从HBM4E开始逐渐扩大，各类晶圆代工工艺都有可能被采用。HBM4E将应用于英伟达下一代AI芯片的顶级版本“VeraRubinUltra”。SK海力士计划向英伟达等主要客户供应性能最高的产品。一位半导体行业内部人士表示：“对于定制化HBM4E，逻辑芯片是根据客户规格制造的，因此3nm和12nm等工艺都在考虑之中。但预计3nm工艺将是供应给市场的大部分HBM4E逻辑芯片的主要选择。”与此同时，AMD和谷歌也已宣布计划在各自的下一代AI芯片中采用HBM4E，竞争日趋激烈。另一位业内人士指出：“三星通过在英伟达年度GTC2026开发者大会上展示HBM4E，表明了其抢占下一代市场的意图。SK海力士似乎在谋划要在下一代HBM的性能上也占据主导地位。”相关阅读：《《《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
HBM4E 竞赛升级：SK 海力士被曝拟引入台积电 3nm 工艺反超三星，争夺 AI 内存性能主导权
文 / 小亚
2026-03-22 08:44:03
来源:亚汇网
更多行情分析及广告投放合作加微信: hollowandy
本文地址: https://www.yahuinews.cc/stock/zhibo/4034485-1.htm，转载请注明出处。
分享到：
【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与亚汇网无关，且不构成任何投资建议，仅供参考，并自行承担全部风险与责任。本站部分文章信息来源于自由投稿人或网络转载，出于传递更多信息之目的，如对文章内容有疑议或侵权，请及时与我们联系处理。
